KLUFG8R1EM-B0C1 - UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
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Kurze Beschreibung
UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
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Technische Daten für KLUFG8R1EM-B0C1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : KLUFG8R1EM-B0C1
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
Serie : DDR3
Ausführung : UFS 2.1
Dichte : 512 GB
Stromspannung : 1.8 / 3.3 V
Schnittstelle : G3 2Lane
Packungsgrösse : 11.5 x 13 x 1.0 mm
Temp. : -25 ~ 85 °C
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für KLUFG8R1EM-B0C1
Datenblätter : KLUFG8R1EM-B0C1.pdf
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