RYC002N05T316 - MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

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MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
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Technische Daten für RYC002N05T316

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RYC002N05T316
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 26pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 350mW (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SST3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RYC002N05T316

Datenblätter : RYC002N05T316.pdf

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