SP8K4FU6TB - MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
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Technische Daten für SP8K4FU6TB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SP8K4FU6TB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 10V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SP8 , SP8K4

Dokumente für SP8K4FU6TB

Datenblätter : SP8K4FU6TB.pdf

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