IPG20N06S2L35ATMA1 - MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
883655 Pieces
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Technische Daten für IPG20N06S2L35ATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPG20N06S2L35ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 27µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 25V
Leistung max :
65W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPG20N06S2L35ATMA1
Datenblätter :
IPG20N06S2L35ATMA1.pdf
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