W947D2HBJX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller Teilenummer

W947D2HBJX6E TR

Interne Teilenummer

AX-W947D2HBJX6E TR

Hersteller

Winbond Electronics

Kurze Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

238060 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für W947D2HBJX6E TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : W947D2HBJX6E TR

Hersteller : Winbond Electronics

Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße : 128Mb (4M x 32)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 5ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 90-TFBGA

Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : W947D , W947D2H

Dokumente für W947D2HBJX6E TR

Datenblätter : W947D2HBJX6E TR.pdf

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