2SK545-11D-TB-E - JFET N-CH 1MA 125MW CP

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JFET N-CH 1MA 125MW CP
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 2SK545-11D-TB-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2SK545-11D-TB-E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : JFET N-CH 1MA 125MW CP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 60µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max : 1mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 1.5V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1.7pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) : -
Leistung max : 125mW
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : 3-CP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 2SK54 , 2SK545-

Dokumente für 2SK545-11D-TB-E

Datenblätter : 2SK545-11D-TB-E.pdf

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