DMG3414UQ-13 - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Hersteller Teilenummer

DMG3414UQ-13

Interne Teilenummer

AX-DMG3414UQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMG3414UQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG3414UQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 829.9pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 780mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG3414UQ-13

Datenblätter : DMG3414UQ-13.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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