IXFA180N10T2 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Hersteller Teilenummer

IXFA180N10T2

Interne Teilenummer

AX-IXFA180N10T2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

115450 Pieces

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Technische Daten für IXFA180N10T2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFA180N10T2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Serie : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (IXFA)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXFA180N10T2

Datenblätter : IXFA180N10T2.pdf

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