DMTH6004SPSQ-13 - MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Hersteller Teilenummer

DMTH6004SPSQ-13

Interne Teilenummer

AX-DMTH6004SPSQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMTH6004SPSQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMTH6004SPSQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI5060-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMTH6004SPSQ-13

Datenblätter : DMTH6004SPSQ-13.pdf

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