BYM10-800-E3/96 - DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BYM10-800-E3/96

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYM10-800-E3/96
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BYM10-800-E3/96

Datenblätter : BYM10-800-E3/96.pdf

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