CDBGBSC201200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
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Kurze Beschreibung
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CDBGBSC201200-G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CDBGBSC201200-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 25.9A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CDBGBSC201200-G
Datenblätter : CDBGBSC201200-G.pdf
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