APT70GR65B2SCD30 - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Interne Teilenummer
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Technische Daten für APT70GR65B2SCD30

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT70GR65B2SCD30
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Serie : *
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 134A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 260A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 70A
Leistung max : 595W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : -
Gate Charge : 305nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 19ns/170ns
Testbedingung : 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : APT70 , APT70GR6

Dokumente für APT70GR65B2SCD30

Datenblätter : APT70GR65B2SCD30.pdf

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