STB11NM60FDT4 - MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Hersteller Teilenummer

STB11NM60FDT4

Interne Teilenummer

AX-STB11NM60FDT4

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

151420 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für STB11NM60FDT4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STB11NM60FDT4

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Serie : FDmesh™

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für STB11NM60FDT4

Datenblätter : STB11NM60FDT4.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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