1N649UR-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 1N649UR-1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N649UR-1
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 400mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AA (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AA
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : 1N649UR-1.pdf

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