DMN2501UFB4-7 - MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Hersteller Teilenummer

DMN2501UFB4-7

Interne Teilenummer

AX-DMN2501UFB4-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4289965 Pieces

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Technische Daten für DMN2501UFB4-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2501UFB4-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 82pF @ 16V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X2-DFN1006-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN250

Dokumente für DMN2501UFB4-7

Datenblätter : DMN2501UFB4-7.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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