FDG361N - MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Hersteller Teilenummer

FDG361N

Interne Teilenummer

AX-FDG361N

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDG361N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDG361N

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 420mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDG361N

Datenblätter : FDG361N.pdf

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