FDB2670 - MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDB2670
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
69250 Pieces
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Technische Daten für FDB2670
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDB2670
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
93W (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDB2670
Datenblätter :
FDB2670.pdf
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