NDD03N40Z-1G - MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4

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MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
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Technische Daten für NDD03N40Z-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NDD03N40Z-1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 400V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 37W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : IPAK (TO-251)
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NDD03N40Z-1G

Datenblätter : NDD03N40Z-1G.pdf

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