DMN62D0LFD-7 - MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Hersteller Teilenummer

DMN62D0LFD-7

Interne Teilenummer

AX-DMN62D0LFD-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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7730315 Pieces

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Technische Daten für DMN62D0LFD-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN62D0LFD-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 310mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 31pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 480mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X1-DFN1212-3

Paket / fall : 3-UDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN62D0LFD-7.pdf

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