C2M0160120D - MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247

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MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
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Technische Daten für C2M0160120D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : C2M0160120D
Hersteller : Cree/Wolfspeed
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Serie : Z-FET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32.6nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 527pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für C2M0160120D

Datenblätter : C2M0160120D.pdf

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