EPC2100 - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2100
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
99235 Pieces
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Technische Daten für EPC2100
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EPC2100
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EPC2100
Datenblätter :
EPC2100.pdf
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