RE1C002ZPTL - MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

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MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
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Technische Daten für RE1C002ZPTL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RE1C002ZPTL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : EMT3F (SOT-416FL)
Paket / fall : SC-89, SOT-490
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RE1C002ZPTL

Datenblätter : RE1C002ZPTL.pdf

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