K4F2E3S4HM-MFCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production

Hersteller Teilenummer

K4F2E3S4HM-MFCJ

Interne Teilenummer

AX-K4F2E3S4HM-MFCJ

Hersteller

Samsung Semiconductor

Kurze Beschreibung

12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production

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Technische Daten für K4F2E3S4HM-MFCJ

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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : K4F2E3S4HM-MFCJ

Hersteller : Samsung Semiconductor

Beschreibung : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Dichte : 12 Gb

Org. : x32

Geschwindigkeit : 3733 Mbps

Stromspannung : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temp. : -40 ~ 95 °C

Paket : 200FBGA

Produckstatus : Mass Production

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : K4F2E , K4F2E3S

Dokumente für K4F2E3S4HM-MFCJ

Datenblätter : K4F2E3S4HM-MFCJ.pdf

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