RQ3E075ATTB - MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

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MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RQ3E075ATTB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RQ3E075ATTB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 15W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RQ3E075ATTB

Datenblätter : RQ3E075ATTB.pdf

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