IXFN80N60P3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFN80N60P3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFN80N60P3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFN80N60P3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Serie : HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 960W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFN80N60P3
Datenblätter : IXFN80N60P3.pdf
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