2SK1859-E - MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Hersteller Teilenummer

2SK1859-E

Interne Teilenummer

AX-2SK1859-E

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

66950 Pieces

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Technische Daten für 2SK1859-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK1859-E

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3P

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2SK1859-E

Datenblätter : 2SK1859-E.pdf

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