HUFA76407DK8T-F085 - MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für HUFA76407DK8T-F085
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HUFA76407DK8T-F085
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HUFA76407DK8T-F085
Datenblätter : HUFA76407DK8T-F085.pdf
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