M474A1G43EB1-CPB - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
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Kurze Beschreibung
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
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Technische Daten für M474A1G43EB1-CPB
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : M474A1G43EB1-CPB
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : DDR4 ECC SODIMM 8 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260 (512M x 8) x 18 EOL
Serie : DDR3
DDR : DDR4
Dimm-Typ : ECC SODIMM
Dichte : 8 GB
Rang x Org. : 2R x 8
Geschwindigkeit : 2133 Mbps
Stromspannung : 1.2 V
Anzahl der Pin : 260
Komponente Zusammensetzung : (512M x 8) x 18
Produckstatus : EOL
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für M474A1G43EB1-CPB
Datenblätter : M474A1G43EB1-CPB.pdf
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