CSD18533Q5AT - MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

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MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
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Technische Daten für CSD18533Q5AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD18533Q5AT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2750pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSONP (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD18533Q5AT

Datenblätter : CSD18533Q5AT.pdf

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