SI5853DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
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MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Technische Daten für SI5853DC-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI5853DC-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Serie :
LITTLE FOOT®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI5853DC-T1-E3
Datenblätter :
SI5853DC-T1-E3.pdf
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