IAUC120N04S6L008ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
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MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
RoHS-Status
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Technische Daten für IAUC120N04S6L008ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IAUC120N04S6L008ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7910pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IAUC120N04S6L008ATMA1
Datenblätter : IAUC120N04S6L008ATMA1.pdf
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