IDP08E65D2XKSA1 - DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IDP08E65D2XKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IDP08E65D2XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.3V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IDP08E65D2XKSA1
Datenblätter : IDP08E65D2XKSA1.pdf
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