BVSS123LT1G - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Hersteller Teilenummer

BVSS123LT1G

Interne Teilenummer

AX-BVSS123LT1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4982485 Pieces

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Technische Daten für BVSS123LT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BVSS123LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 225mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BVSS123LT1G.pdf

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