PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
29029 Pieces
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Technische Daten für PHKD3NQ10T,518
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PHKD3NQ10T,518
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 20V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PHKD3NQ10T,518
Datenblätter :
PHKD3NQ10T,518.pdf
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