SQJB60EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SQJB60EP-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQJB60EP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 25V
Leistung max : 48W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQJB60EP-T1_GE3
Datenblätter : SQJB60EP-T1_GE3.pdf
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