IXTP60N10T - MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTP60N10T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXTP60N10T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTP60N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 176W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXTP60N10T
Datenblätter : IXTP60N10T.pdf
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