IXTQ180N10T - MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

Hersteller Teilenummer

IXTQ180N10T

Interne Teilenummer

AX-IXTQ180N10T

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

107740 Pieces

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Technische Daten für IXTQ180N10T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTQ180N10T

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

Serie : TrenchMV™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 151nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-3P

Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXT , IXTQ1

Dokumente für IXTQ180N10T

Datenblätter : IXTQ180N10T.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
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