IPD60R600E6ATMA1 - MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPD60R600E6ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD60R600E6ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Serie : CoolMOS™ E6
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD60R600E6ATMA1
Datenblätter : IPD60R600E6ATMA1.pdf
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