SISS98DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
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MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
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Technische Daten für SISS98DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SISS98DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Serie :
ThunderFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 7.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
608pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
57W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SISS98DN-T1-GE3
Datenblätter :
SISS98DN-T1-GE3.pdf
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