BUK9Y8R7-60E,115 - MOSFET N-CH 60V LFPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V LFPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BUK9Y8R7-60E,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK9Y8R7-60E,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V LFPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4570pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 147W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BUK9Y8R7-60E,115
Datenblätter : BUK9Y8R7-60E,115.pdf
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