BUK9Y8R7-60E,115 - MOSFET N-CH 60V LFPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V LFPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BUK9Y8R7-60E,115
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BUK9Y8R7-60E,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V LFPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4570pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
147W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BUK9Y8R7-60E,115
Datenblätter :
BUK9Y8R7-60E,115.pdf
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