SIE836DF-T1-E3 - MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

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MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
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Technische Daten für SIE836DF-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIE836DF-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 10-PolarPAK® (SH)
Paket / fall : 10-PolarPAK® (SH)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SIE836DF-T1-E3

Datenblätter : SIE836DF-T1-E3.pdf

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