US1JE-TP - DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für US1JE-TP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : US1JE-TP
Hersteller : Micro Commercial Co
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : SMAE
Betriebstemperatur - Übergang : -50°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : US1JE-TP.pdf

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