FDD18N20LZ - MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDD18N20LZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
594290 Pieces
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Technische Daten für FDD18N20LZ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDD18N20LZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Serie :
UniFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1575pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDD18N20LZ
Datenblätter :
FDD18N20LZ.pdf
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