BSO303SPNTMA1 - MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
50502 Pieces
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Technische Daten für BSO303SPNTMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSO303SPNTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1754pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.35W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
P-DSO-8
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSO303SPNTMA1
Datenblätter :
BSO303SPNTMA1.pdf
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