BSO303SPNTMA1 - MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSO303SPNTMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO303SPNTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1754pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.35W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : P-DSO-8
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO303SPNTMA1
Datenblätter : BSO303SPNTMA1.pdf
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