K4F4E3S4HF-GUCJ - 4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production

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4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
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Technische Daten für K4F4E3S4HF-GUCJ

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Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4F4E3S4HF-GUCJ
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 4 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Dichte : 4 Gb
Org. : x32
Geschwindigkeit : 3733 Mbps
Stromspannung : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. : -40 ~ 125 °C
Paket : 200FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : K4F4E , K4F4E3S

Dokumente für K4F4E3S4HF-GUCJ

Datenblätter : K4F4E3S4HF-GUCJ.pdf

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