EDB4064B4PB-1DIT-F-D - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 4Gb (64M x 64)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Datenblätter : EDB4064B4PB-1DIT-F-D.pdf
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