IPB65R065C7ATMA2 - MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB65R065C7ATMA2

Interne Teilenummer

AX-IPB65R065C7ATMA2

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

102280 Pieces

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Technische Daten für IPB65R065C7ATMA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB65R065C7ATMA2

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH TO263-3

Serie : CoolMOS™ C7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3020pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 171W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO263-3

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB65 , IPB65R06

Dokumente für IPB65R065C7ATMA2

Datenblätter : IPB65R065C7ATMA2.pdf

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