SI4561DY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI4561DY-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI4561DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 20V
Leistung max :
3W, 3.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI4561DY-T1-GE3
Datenblätter :
SI4561DY-T1-GE3.pdf
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