SI4561DY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
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MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
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Technische Daten für SI4561DY-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4561DY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 20V
Leistung max : 3W, 3.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI4561DY-T1-GE3
Datenblätter : SI4561DY-T1-GE3.pdf
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