TK6A65W,S5X - MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TK6A65W,S5X
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für TK6A65W,S5X
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TK6A65W,S5X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
390pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TK6A65W,S5X
Datenblätter :
TK6A65W,S5X.pdf
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