DMN2019UTS-13 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Hersteller Teilenummer

DMN2019UTS-13

Interne Teilenummer

AX-DMN2019UTS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2698400 Pieces

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Technische Daten für DMN2019UTS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2019UTS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V

Leistung max : 780mW

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Supplier Device Package : 8-TSSOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN201

Dokumente für DMN2019UTS-13

Datenblätter : DMN2019UTS-13.pdf

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